NCE30D2519K دیتاشیت

NCE30D2519K

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE30D2519K
حجم فایل 82.18 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت NCE30D2519K

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30D2519K
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 21W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 450pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 90pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,7A
  • Package: TO-252-4
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه